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HS3AB

HS3AB · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Codice componente:
HS3AB
Corrente di dispersione inversa a Vr:
10 µA @ 50 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
1 V @ 3 A

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr10 µA @ 50 V
Tensione diretta massima (Vf) a If1 V @ 3 A
Capacità a Vr, F80pF @ 4V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr)50 Ns
TecnologiaStandard
Temperatura di giunzione operativa-55°C ~ 150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)50 V
Corrente raddrizzata media (Io)3A
VelocitàRecupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreDO-214AA (SMB)
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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