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V3FL45HM3/I

V3FL45HM3/I · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice componente:
V3FL45HM3/I
Corrente di dispersione inversa a Vr:
750 µA @ 45 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
580 MV @ 3 A

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
SerieAutomotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®
ProduttoreVishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice prodotto baseV3FL45

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr750 µA @ 45 V
Tensione diretta massima (Vf) a If580 MV @ 3 A
Capacità a Vr, F370pF @ 4V, 1MHz
TecnologiaSchottky
Temperatura di giunzione operativa-40°C ~ 150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)45 V
Corrente raddrizzata media (Io)3A
VelocitàRecupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreDO-219AB (SMF)
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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A
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Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.

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