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1N5820USE3/TR
1N5820USE3/TR · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Microchip Technology
- Codice componente:
- 1N5820USE3/TR
- Corrente di dispersione inversa a Vr:
- 100 µA @ 20 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If:
- 500 MV @ 3 A
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Produttore | Microchip Technology |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 100 µA @ 20 V |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 500 MV @ 3 A |
| Tecnologia | Schottky |
| Temperatura di giunzione operativa | -65°C ~ 125°C |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 20 V |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 3A |
| Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore del produttore | B, SQ-MELF |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT) |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale