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SA2M-M3/5AT

SA2M-M3/5AT · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice componente:
SA2M-M3/5AT
Corrente di dispersione inversa a Vr:
3 µA @ 1000 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
1.1 V @ 2 A

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
ProduttoreVishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice prodotto baseSA2

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr3 µA @ 1000 V
Tensione diretta massima (Vf) a If1.1 V @ 2 A
Capacità a Vr, F11pF @ 4V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr)1.5 µs
TecnologiaStandard
Temperatura di giunzione operativa-55°C ~ 150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)1000 V
Corrente raddrizzata media (Io)2A
VelocitàRecupero standard >500ns, > 200mA (Io)

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreDO-214AC (SMA)
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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A
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Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.

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