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BAS21HYT116

BAS21HYT116 · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Rohm Semiconductor
Codice componente:
BAS21HYT116
Corrente di dispersione inversa a Vr:
100 NA @ 200 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
1.25 V @ 200 MA

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
ProduttoreRohm Semiconductor
Codice prodotto baseBAS21

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr100 NA @ 200 V
Tensione diretta massima (Vf) a If1.25 V @ 200 MA
Capacità a Vr, F2.5pF @ 0V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr)50 Ns
TecnologiaStandard
Temperatura di giunzione operativa150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)200 V
Corrente raddrizzata media (Io)200mA
VelocitàPiccolo segnale =< 200mA (Io), qualsiasi velocità

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreSOT-23
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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