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MMBD914LT1G

MMBD914LT1G · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Onsemi
Codice componente:
MMBD914LT1G
Corrente di dispersione inversa a Vr:
5 µA @ 75 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
1 V @ 10 MA

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
ProduttoreOnsemi
Codice prodotto baseMMBD914

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr5 µA @ 75 V
Tensione diretta massima (Vf) a If1 V @ 10 MA
Capacità a Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr)4 Ns
TecnologiaStandard
Temperatura di giunzione operativa-55°C ~ 150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)100 V
Corrente raddrizzata media (Io)200mA
VelocitàPiccolo segnale =< 200mA (Io), qualsiasi velocità

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreSOT-23-3 (–-236)
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.

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