HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

Prodotti

BAS116HYFHT116

BAS116HYFHT116 · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Rohm Semiconductor
Codice componente:
BAS116HYFHT116
Corrente di dispersione inversa a Vr:
5 NA @ 75 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
1.25 V @ 150 MA

Richiedi un preventivo

Prezzo, disponibilità e consegna sono confermati nel preventivo.

Richiedi un preventivo

Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
SerieAutomotive, AEC-Q101
ProduttoreRohm Semiconductor
Codice prodotto baseBAS116

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr5 NA @ 75 V
Tensione diretta massima (Vf) a If1.25 V @ 150 MA
Capacità a Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr)3 µs
TecnologiaStandard
Temperatura di giunzione operativa150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)80 V
Corrente raddrizzata media (Io)215mA
VelocitàRecupero standard >500ns, > 200mA (Io)

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreSOT-23
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

Richiedi un preventivo

A
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

Prezzo, disponibilità e consegna sono confermati nel preventivo.

Componenti selezionati

Tutti i prodotti
BAS116HYFHT116

BAS116HYFHT116

WhatsApp