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MUR1100EG
MUR1100EG · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Onsemi
- Codice componente:
- MUR1100EG
- Corrente di dispersione inversa a Vr:
- 10 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If:
- 1.75 V @ 1 A
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Produttore | Onsemi |
| Codice prodotto base | MUR1100 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 1.75 V @ 1 A |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100 Ns |
| Tecnologia | Standard |
| Temperatura di giunzione operativa | -65°C ~ 175°C |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 1000 V |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 1A |
| Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio a foro passante |
| Contenitore del produttore | assiale |
| Contenitore / involucro | Sfuso |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale