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SE30DT12HM3/I
SE30DT12HM3/I · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Codice componente:
- SE30DT12HM3/I
- Corrente di dispersione inversa a Vr:
- 10 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If:
- 1.29 V @ 30 A
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, ESMP® |
| Produttore | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Codice prodotto base | SE30DT12 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 1.29 V @ 30 A |
| Capacità a Vr, F | 132pF @ 4V, 1MHz |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3.4 µs |
| Tecnologia | Standard |
| Temperatura di giunzione operativa | -55°C ~ 175°C |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 1200 V |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 30A |
| Velocità | Recupero standard >500ns, > 200mA (Io) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore del produttore | SMPD |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT) |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale