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ES3D-E3/9AT

ES3D-E3/9AT · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice componente:
ES3D-E3/9AT
Corrente di dispersione inversa a Vr:
10 µA @ 200 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
900 MV @ 3 A

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
ProduttoreVishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice prodotto baseES3

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr10 µA @ 200 V
Tensione diretta massima (Vf) a If900 MV @ 3 A
Capacità a Vr, F45pF @ 4V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr)30 Ns
TecnologiaStandard
Temperatura di giunzione operativa-55°C ~ 150°C
Tensione inversa CC massima (Vr)200 V
Corrente raddrizzata media (Io)3A
VelocitàRecupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttoreDO-214AB (SMC)
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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