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JDH2S02SL
JDH2S02SL · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Codice componente:
- JDH2S02SL
- Corrente di dispersione inversa a Vr:
- 25 µA @ 500 MV
- Temperatura di giunzione operativa:
- 125°C (Max)
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Produttore | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Codice prodotto base | JDH2S02 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 25 µA @ 500 MV |
| Temperatura di giunzione operativa | 125°C (Max) |
| Capacità a Vr, F | 0.25pF @ 200mV, 1MHz |
| Tecnologia | Schottky |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 10 V |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 10mA |
| Velocità | Piccolo segnale =< 200mA (Io), qualsiasi velocità |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore del produttore | SL2 |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT) |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale