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MBR40035CTRL
MBR40035CTRL · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- GeneSiC Semiconductor
- Codice componente:
- MBR40035CTRL
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo:
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa:
- -55°C ~ 150°C
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Diodi Raddrizzatori Array di diodi |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente raddrizzata media (Io) / diodo | 200A |
| Temperatura di giunzione operativa | -55°C ~ 150°C |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 600 MV @ 200 A |
| Configurazione dei diodi | 1 coppia ad anodo comune |
| Tecnologia | Schottky |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 35 V |
| Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 3 MA @ 35 V |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Contenitore / involucro | Sfuso |
| Tipo di montaggio | Montaggio su telaio |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 1
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Supplier Device Package | Twin Tower |
|---|
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale