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NSDEMN11XV6T1G
NSDEMN11XV6T1G · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Onsemi
- Codice componente:
- NSDEMN11XV6T1G
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo:
- 100mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa:
- -55°C ~ 150°C
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Diodi Raddrizzatori Array di diodi |
| Produttore | Onsemi |
| Codice prodotto base | NSDEMN11 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente raddrizzata media (Io) / diodo | 100mA (DC) |
| Temperatura di giunzione operativa | -55°C ~ 150°C |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 1.2 V @ 100 MA |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4 Ns |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 80 V |
| Velocità | Piccolo segnale =< 200mA (Io), qualsiasi velocità |
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 100 NA @ 70 V |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Contenitore del produttore | SOT-563 |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 1
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Diode Configuration | 2 Pair Common Cathode |
|---|
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
Tutti i prodotti
XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale