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G3S06516B
G3S06516B · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Global Power Technology-GPT
- Codice componente:
- G3S06516B
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo:
- 25.5A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa:
- -55°C ~ 175°C
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Diodi Raddrizzatori Array di diodi |
| Produttore | Global Power Technology-GPT |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente raddrizzata media (Io) / diodo | 25.5A (DC) |
| Temperatura di giunzione operativa | -55°C ~ 175°C |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 1.7 V @ 8 A |
| Configurazione dei diodi | 1 coppia a catodo comune |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0 Ns |
| Tecnologia | Schottky SiC (carburo di silicio) |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 650 V |
| Velocità | Senza tempo di recupero > 500mA (Io) |
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 50 µA @ 650 V |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Contenitore del produttore | –-247AB |
| Contenitore / involucro | Nastro tagliato (CT) Nastro e scatola (TB) |
| Tipo di montaggio | Montaggio a foro passante |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale