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DD750S65K3NOSA1
DD750S65K3NOSA1 · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Infineon Technologies
- Codice componente:
- DD750S65K3NOSA1
- Temperatura di giunzione operativa:
- -50°C ~ 125°C
- Tensione diretta massima (Vf) a If:
- 3.5 V @ 750 A
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Diodi Raddrizzatori Array di diodi |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Codice prodotto base | DD750S65 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Temperatura di giunzione operativa | -50°C ~ 125°C |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 3.5 V @ 750 A |
| Configurazione dei diodi | 2 indipendenti |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 6500 V |
| Velocità | Recupero standard >500ns, > 200mA (Io) |
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 1100 A @ 3600 V |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Contenitore del produttore | A-IHV130-6 |
| Tipo di montaggio | Montaggio su telaio |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 1
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Package / Case | Tray |
|---|
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
Tutti i prodottiXCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale


