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FFSD10120A
FFSD10120A · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Onsemi
- Codice componente:
- FFSD10120A
- Corrente di dispersione inversa a Vr:
- 200 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If:
- 1.75 V @ 10 A
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Produttore | Onsemi |
| Codice prodotto base | FFSD10120 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 1.75 V @ 10 A |
| Capacità a Vr, F | 612pF @ 1V, 100kHz |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0 Ns |
| Tecnologia | Schottky SiC (carburo di silicio) |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 1200 V |
| Velocità | Senza tempo di recupero > 500mA (Io) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore del produttore | –-252AA |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT) |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale