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K4B4G1646D-BCK0

K4B4G1646D-BCK0 · Micron / ISSI / Samsung · Circuiti integrati

Informazioni prodotto

Codice componente:
K4B4G1646D-BCK0
Tipo:
Circuito integrato
Tipo di FET:
.

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
Codice componenteK4B4G1646D-BCK0

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
TipoCircuito integrato
Tipo di FET.
Corrente di uscita massima.
Corrente di alimentazione.
Tensione di alimentazione.
Frequenza massima.
Potenza massima.
Tolleranza.
Funzione.
Tensione di alimentazione interna.
Frequenza di taglio o centrale.
Alimentazione isolata.
Tensione di isolamento.
Corrente di uscita di picco.
Tipo di ingresso.
Tipo di uscita.
Tensione di uscita massima.
Impedenza.
Frequenza oscillatore locale.
Frequenza RF.
Intervallo di ingresso.
Potenza di uscita.
Modulazione.
GPIO.
CI / componente utilizzato.
Resistenza (Ω).

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Dimensioni.

Memoria e interfacce

ParametroValore
Modulazione o protocollo.
Capacità di memoria.
Protocollo.
Interfacce seriali.
Tipo di memoria.

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Campi originali · inglese · 20

Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.

DescriptionIC K4B4G1646D-BCK0, IC
Current - Leakage (IS(off)) (Max).
Current - Output High, Low.
Voltage - Forward (Vf) (Typ).
Current - DC Forward (If) (Max).
Current Transfer Ratio (Min).
Current Transfer Ratio (Max).
Voltage - Off State.
Static DV/dt (Min).
Current - LED Trigger (Ift) (Max).
Current - On State (It (RMS)) (Max).
Impedance - Unbalanced/Balanced.
Output Power.
Frequency Bands (Low / High).
Specifications.
Standards.
Style.
Writable Memory.
ApplicationElectronic Componets
PackagingTrue Air Anti - Static Packaging

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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