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K4G41325FE-HC25
K4G41325FE-HC25 · Micron / ISSI / Samsung · Circuiti integrati
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- K4G41325FE-HC25
- Tensione di rottura:
- V
- Frequenza di commutazione:
- HZ
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Codice componente | K4G41325FE-HC25 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tensione di rottura | V |
| Frequenza di commutazione | HZ |
| Potenza (W) | W |
| Temperatura operativa | C |
| Tensione di alimentazione minima | V |
| Tensione di alimentazione massima | V |
| Tensione di uscita | V |
| Corrente di uscita per canale | A |
| Frequenza | Hz |
| Applicazioni | Circuito integrato |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | SMT |
| Dimensioni | BGA |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 4
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Type | Integrated Circuit, Voltage Regulator |
|---|---|
| Description | Graphics Card Memory BGA Ic Chip |
| Output Power | W |
| Product Name | H5GQ8H24MJR-R4C Graphics Card Memory |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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