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1N4448
1N4448 · ROHM / UTC · Circuiti integrati
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- 1N4448
- Tipo:
- IC CHIP
- Corrente raddrizzata media (Io):
- 200mA
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Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo | IC CHIP |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 200mA |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 1V @ 100mA |
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 5uA @ 75V |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 8327382 |
| Velocità | Piccolo segnale =< 200mA (Io), qualsiasi velocità |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Capacità a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Intervallo di temperatura operativa | - 55 C – + 150 C |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | 153821123 |
| Contenitore / involucro | Montaggio superficiale |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 6
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Application | Diodes -General Purpose, Power, Switching |
|---|---|
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Product | Switching Diodes |
| Recovery Time | 4 Ns |
| Forward Voltage Drop | 1.2 V |
| Maximum Power Dissipation | 350 MW |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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