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IRF840PBF
IRF840PBF · ROHM / UTC · Circuiti integrati
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- IRF840PBF
- Temperatura operativa:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Riferimento incrociato:
- NEW
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Stesso modello · parametri coerenti
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Temperatura operativa | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Riferimento incrociato | NEW |
| Tipo di FET | Canale P |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio a foro passante |
| Contenitore / involucro | –-220-3 |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 13
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Type | IC CHIP, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Irf Transistor |
| Brand | MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250uA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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