MSCDC100KK170D1PAG · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 175°C
Prodotti
STD1060 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 850 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 650 MV @ 10 A
FST16035 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 160A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
V8PM45-M3/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 600 MV @ 8 A
F1842CCD600 · Componenti elettronici
- Produttore
- Sensata-Crydom
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 40A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 125°C
AS1PJ-M3/84A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A
GHXS030A120S-D3 · Componenti elettronici
- Produttore
- SemiQ
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
STPS1L30MF · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 390 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 390 MV @ 1 A
DSEP2X91-03A · Componenti elettronici
- Produttore
- IXYS
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 90A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
MEK75-12DA · Componenti elettronici
- Produttore
- IXYS
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 75A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
S10GC · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 10 A
406CMQ200 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 990 MV @ 200 A
SS3H10HE3_B/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 20 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 3 A
MUR2X100A04 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
V8PM10HM3/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 60 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 750 MV @ 8 A
APT2X31D120J · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.5 V @ 30 A
SS3H9-E3/9AT · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 20 µA @ 90 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 3 A
APT2X61D120J · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 53A
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.5 V @ 60 A