MUR260RLG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.35 V @ 2 A
Prodotti
BAS16HTW-13 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
MBR120ESFT1G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
MMBD1404 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
MURA130T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 300 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAS16V-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
MURS110T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
M1MA142WKT1G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
MBR120ESFT3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
MMBD2004S-7-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
MBRS130T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
PMBD7100 · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
NRVUS110VT3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
1SS392 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
MURS210T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 940 MV @ 2 A
GSXD160A010S1-D3 · Componenti elettronici
- Produttore
- SemiQ
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 160A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
MBRA160T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 510 MV @ 1 A
HN1D03FU · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)