MBR120100CT · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 120A (DC)
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 840 MV @ 60 A
Prodotti
MSE1PGHM3/89A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SF24G · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
MBRT30045 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
31DQ04 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 570 MV @ 3 A
MBR40030CT · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBR12020CTR · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 120A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SK320B · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
MURT20020 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MUR340SBH · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
MBR40035CT · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
U3B-E3/9AT · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
MDD200-18N1 · Componenti elettronici
- Produttore
- IXYS
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 224A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
US2JDFQ-13 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
NSD914XV2T1G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
VS-VSKD196/16PBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 97.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
MBR30030CTR · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SS3P4L-M3/87A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 250 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 470 MV @ 3 A