UG4A-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 4 A
Prodotti
MBR400150CTR · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SS3P3L-M3/86A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 250 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 470 MV @ 3 A
MSRT200120AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
GS1MHE3-LTP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
MBRT40020R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S12GC · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
B170Q-13-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 155°C
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 790 MV @ 1 A
JANTX1N5711UBCA/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 33mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
MBRT20045R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
HS1DFS · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
MBRT12040R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SR804H · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 550 MV @ 8 A
MSRTA300120AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
HS1GFS · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
MBRT20020R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MURS340-M3/57T · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.28 V @ 3 A
MURT20010R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C