MBRF30H60CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
Prodotti
FSV20150V · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 30 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 840 MV @ 20 A
MBRF15H45CTHE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
B330LA-M3/61T · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
SBL1030CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 125°C
MSC030SDA070S · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 700 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.8 V @ 30 A
SBLB25L20CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 12.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 3 A
VS-15EWL06FNTR-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.05 V @ 15 A
MBRF30H100CTHE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
1N5618US · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A
MBRF1550CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
FSV1060V · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 220 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 520 MV @ 10 A
SB10H150CT-1E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
1N4004GP-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SBLB2030CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBRF2550CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
1N5619US · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.6 V @ 3 A