SBLB1640CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 125°C
Prodotti
AS3BJ-M3/52T · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.05 V @ 3 A
UB20CCT-E3/4W · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5806US · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
UG8HCTHE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
APTDF450U60G · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2.5 MA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.8 V @ 500 A
U16DCT-E3/4W · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
PMEG060V050EPDAZ · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 560 MV @ 5 A
SBLB1030CTHE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 125°C
VS-90EPS12L-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 90 A
UB16BCT-E3/4W · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-300U10A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 40 MA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.4 V @ 942 A
UG18CCT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
RGP15J-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1.5 A
SBL25L25CT-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 12.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5617 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.6 V @ 3 A
U10CCT-E3/4W · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
249NQ150R-1 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 6 MA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.07 V @ 240 A