VS-4EWH02FNTR-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 4 A
Prodotti
VS-STPS40L15CT-N3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 125°C
DSC08C065FP · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 8 A
MBRT30020L · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBR2045CT-LJ-01 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
PNE20020ERX · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 980 MV @ 2 A
RS3J-E3/57T · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2.5 A
DCB010-TB-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
MBR60045CTL · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
NTE551 · Componenti elettronici
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 1500 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 2 A
VS-MBRB3030CTLPBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SS1FH10HM3/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 1 A
GSXF120A040S1-D3 · Componenti elettronici
- Produttore
- SemiQ
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 120A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
V10P6-M3/86A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1.9 MA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 590 MV @ 10 A
NTSV30H100ECTG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 175°C
NTE581 · Componenti elettronici
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 8 A
MBR40040CTL · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5401G-T · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A