MBRF60020R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 175°C
Prodotti
MBRF200100 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RBR3MM40ATR · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 80 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 620 MV @ 3 A
MBRF20080 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BYC30WT-600PQ · Componenti elettronici
- Produttore
- WeEn Semiconductors
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.75 V @ 30 A
MBRF12040 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
APT40DQ120BG · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 3.3 V @ 40 A
MBRF50045R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S2B-E3/52T · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRF20045 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
FFSP4065BDN-F085 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MBR10100CTF-E1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
VS-30ETU12-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 145 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.68 V @ 30 A
MBRF12030 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SS25FA · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 400 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
MBRF40080R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
DSC10120 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 640 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 10 A
MBRB20H35CT-E3/81 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C