MBRB20H100CTGHE3/8 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
Prodotti
1N6078US/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.76 V @ 18.8 A
MCL101A-TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
MBRTA60035R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
US1Q-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.9 V @ 1 A
IDW32G65C5BXKSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 16A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
MBRTA800100 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 400A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N4934-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
MBRF50040R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5811URS/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
MBRTA60060 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5402-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 3 A
MBRTA60030R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BYG20JHE3_A/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.5 A
MBRF40060R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SB007-03Q-TL-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 15 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 550 MV @ 70 MA
UFT7340M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 70A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5806URS/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A