BY255P-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1300 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
Prodotti
MBRS15150CTHMNG · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
GS1D · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
RS3JB-13-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A
MBRB15H60CTHE3_A/P · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
BAS316 · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
BAS16UE6727HTSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
RB095BM-40TL · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
BYV26DGP-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.5 V @ 1 A
MB10H90CTHE3_A/P · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
RS2GHE3_A/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1.5 A
BAS321-QF · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
TSI30H200CW · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S3MB · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.15 V @ 3 A
UFT14040 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 70A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
STPS1H100UY · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 4 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 770 MV @ 1 A
TSI20H100CW · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
LS4154GS08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 30 MA