GPP10D-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
Prodotti
CDST-2004S-HF · Componenti elettronici
- Produttore
- Comchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
HSM221CTL · Componenti elettronici
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
NRVBD660CTG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
BAV300-TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
FEP16DT-33HE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BAT46WQ-7-F-52 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 MA
NRVBD640CTT4G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
HRW0202BTR-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
BAT54AT-7-G · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
1N5817 · Componenti elettronici
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 450 MV @ 1 A
FEP6DT-5410HE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BAL99 · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 70 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
BYV32-150801HE3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
V2NL63HM3/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 580 MV @ 2 A
BAS40W-04-7-F-79 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 125°C
IMBD4148-HE3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2.5 µA @ 70 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
GE2X10MPS06D · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 23A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C