Diodes et transistors
LS830 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 500 MW
U404 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 300 MW
LSK189 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
2N4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 200°C (TJ)
SST402 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 300 MW
UJ3N065025K3S · Diodes et transistors
- Fabricant
- Qorvo
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 441 W
LSK489A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4118 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
U421 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5911 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 400 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 400 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS320 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 200 MW
LSJ74C · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 135°C (TJ)
2N5114 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW