1N5618US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
Composants électroniques
CD5820 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 3 A
JAN1N5819-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 1 A
1N5189 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTXV1N5620/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
S40QR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 40 A
JANTX1N5415/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTX1N5819-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
1N5811E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N3600 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
S40M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 40 A
TL071IP · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 1.4 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 200 PA
VS-41HFR60 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 MA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 125 A
S40BR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 40 A
1N5550USE3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
1N5195 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 180 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
126SPC200A · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 120 A
1N5187 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A