VS-85HFLR10S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 266.9 A
Composants électroniques
MCP6484T-E/ST · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine
1N3595US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
JANTX1N5420 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
VS-70HFLR40S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 219.8 A
TLC271ACD · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 675 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 60 PA
JAN1N6641US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 300 MA
JANTXV1N6638/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 200 MA
JANTXV1N5551 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
VS-85HFL10S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
JANTX1N5614US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
UTR12 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
VS-1N1184A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 126 A
JANTX1N5802 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
VS-HFA30PB120HN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 4.1 V @ 30 A
MCP6472T-E/MNY · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine
UT267 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 900 MA
JANTXV1N5186 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A