VS-71HFR120 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 220 A
Composants électroniques
MIL-PRF-19500/241 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 100 MA
JANTXV1N6641 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 200 MA
JANTX1N5188/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTX1N5188 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTX1N5554US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 9 A
JAN1N5190 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JAN1N3595AUR-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 100 MA
TC913BCPA · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant d’alimentation
- 1.1 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 120 PA
JANTX1N5417US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
1N6623 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 880 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 1 A
JAN1N6623 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 1 A
VS-70HFL40S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 219.8 A
JAN1N5802US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2.5 A
JANTXV1N6643 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
1N6627 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
1N6628/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A