OA1MPA22C · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- CMOS
- Vitesse de balayage
- 0.06 V/µs
Composants électroniques
ER3DHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
TL3472CDRG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 13 V/µs
SR345-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
LPV521MGX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.0027 V/µs
UF1005-M3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
SR520H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 5 A
TL062IPWRG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 3.5 V/µs
SF63G-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 6 A
TL031CPG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 5.1 V/µs
RB520CS-30T2R · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 10 MA
TLV2371QDRG4Q1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2.1 V/µs
ES3B-M3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 3 A
SE20AFGHM3/6B · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
ES3B-M3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 3 A
TLV2211IDBVR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.025 V/µs
NRVHPRS1GFA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 800 MA
TL032IDRG4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 5.1 V/µs