NRVTS8120EMFST3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 8 A
Composants électroniques
SL23-M3/5BT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2 A
V8PL6-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.4 MA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 8 A
TS1874AIYDT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.6 V/µs
SF63G-AP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 6 A
MCP6051T-E/OT · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.15 V/µs
SF35GH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
MCP6273-E/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant d’alimentation
- 170 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
SS210-M3/5BT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 1 A
UH3BHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 3 A
TLV379IDCKR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.03 V/µs
B340LB-M3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 3 A
TSV914AIYPT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 4.5 V/µs
RBR2L60BTE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 2 A
CMR3-10 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 3 A
VSSAF3L45-M3/6B · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 450 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 540 MV @ 3 A
MCP6291T-E/MS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 7 V/µs
SDT5H100P5-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 5 A