AS1PD-M3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
Composants électroniques
HS1GLH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
AD8222ACPZ-WP · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Vitesse de balayage
- 2 V/µs
- Tension de décalage d’entrée
- 120µV
HS1ALH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
SR815 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.02 V @ 8 A
OPA363ID · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 5 V/µs
1N5812R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
TLV4112TDA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Conditionnement
- Tube
1N1124RA · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 10 A
THS4141IDGN · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Différentiel
- Vitesse de balayage
- 450 V/µs
HER305G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
TLC073CDR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 19 V/µs
1N4148UB/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
SS3H9-M3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 3 A
1N5820US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
AD8224ACPZ-WP · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Vitesse de balayage
- 2 V/µs
- Tension de décalage d’entrée
- 300µV
UG4B-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 4 A