VS-MBRD330-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 3 A
Composants électroniques
VS-MBRD330TRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 3 A
LMP8481MM-S/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Détection de courant
- Vitesse de balayage
- 1 V/µs
HS5M · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
HS5F · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RBR3L60BTE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 3 A
TLC072AIP · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 19 V/µs
10A02GP-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 10 A
LMC6462AIM · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.028 V/µs
MUR4L60 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.28 V @ 4 A
VS-30WQ03FNTRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 3 A
VS-30WQ04FNTRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 3 A
SF38GH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
TLV2373IN · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2.1 V/µs
SR803-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 8 A
PGA117AIPW · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Vitesse de balayage
- 8 V/µs
- Tension de décalage d’entrée
- 75µV
SR802-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 8 A