ZHL-100W-352+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Mini-Circuits
- Facteur de bruit typique (dB)
- 7.3
- ROS d’entrée typique (:1)
- 1.35
Composants électroniques
BYP25K2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 25 A
ZHL-100W-GANX+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Mini-Circuits
- Facteur de bruit typique (dB)
- 7
- ROS d’entrée typique (:1)
- 1.5
BYP25A05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 25 A
OPA4316IPWR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 6 V/µs
ZHL-1000-3W+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Mini-Circuits
- Facteur de bruit typique (dB)
- 3.5
- ROS d’entrée typique (:1)
- 2
ONET8501TYS · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 28 MA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
FE3B · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 980 MV @ 3 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type d’amplificateur
- Détection de courant
- Vitesse de balayage
- 3 V/µs
ZHL-1042J+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Mini-Circuits
- Facteur de bruit typique (dB)
- 6
- ROS d’entrée typique (:1)
- 2.5
ONET4291TY · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 25 MA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
HV4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 4000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 6 V @ 200 MA
ZHL-1217HLNX+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Mini-Circuits
- Facteur de bruit typique (dB)
- 1.5
- ROS d’entrée typique (:1)
- 1.4
FE3D · Composants électroniques
- Fabricant
- Diotec Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 980 MV @ 3 A