MIL-PRF-19500/477 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
Composants électroniques
UES1304E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
MIL-PRF-19500/477 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N6628U/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
MIL-PRF-19500/477 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
VS-T40HFL60S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 200 Ns
1N4150UBD · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
TLC2252TDA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Tube
1N4150UBD/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
UES1306E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
UES1306/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
1N4150UBCA · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
JANTX1N649-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
JANTXV1N5807URS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N5811URS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N5809URS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N6628U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JANS1N6638US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 200 MA