RB531SM-30FHT2R · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 350 MV @ 10 MA
Composants électroniques
1SS402TE85LF · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
RB751SM-40T2R · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 370 MV @ 1 MA
BAV756DW-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
DLLFSD01LP3-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
BAS40-05T-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
BAS40H · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 40 MA
SDMP0340LAT-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
1SS308(TE85L · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
PMEG2005AEL · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 440 MV @ 500 MA
BAT5404E6327HTSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
CUS05S30 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 340 MV @ 100 MA
BAS70-04-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
BAS70-00-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
PMEG3005CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 500mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N5818-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
BAS70-06-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
BAV21W-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA