VSSA310S-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 3 A
Composants électroniques
BAV70HDW-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 125mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SE30AFJ-M3/6A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 3 A
SL56AFL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 5 A
BAV99DWQ-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
RSX301LAM30TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 3 A
NSVDAN222T1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
STPS160A · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 670 MV @ 1 A
RB717F-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S2M-E3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
BAS21AW · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BYG20J-E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.5 A
GSD2004C-G3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BYG21M-E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 1.5 A
BAS16HTWQ-13R · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS310LWH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 3 A
BAS40-04-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
RB068MM100TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 2 A