S3A-E3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A
Composants électroniques
VS-10CWH02FNTR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
ES2F-E3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
VB20200G-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
PMEG60T30ELPX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.8 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 3 A
MBRD10200CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MURS120-M3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
SBR3U20SA-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 390 MV @ 3 A
VS-12CWQ03FNTRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N5062TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A
MBRB10100CT-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -50°C ~ 150°C
VS-30BQ060HM3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 3 A
STPS10H100CG-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
BYM13-40-E3/96 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
STPS2045CG-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
V20PW45C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
CMS11(TE12L · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 2 A
SB560A-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 5 A