GP30J-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 3 A
Composants électroniques
V10PL45-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 10 A
SD103ATW-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 175mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
RR601BM4STL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 6 A
RBE1KA20ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 1A
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C
BY228-15TAP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 5 A
V10PWL63C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SR510 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 5 A
BAS40-05HYFHT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 120mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
V15P45-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 15 A
V10KM120C-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3.9A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
HSM276ASTR-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
STTH4R02B-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 4 A
CMLD4448DOG · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
AU3PM-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 3 A
HSU276ATRF-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
CMR3-06 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 3 A
SD640CS_L2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C