RS1PD-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
Composants électroniques
S07J-GS18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
UF1004CT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS382-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
MBR1060CT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
RS1DFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
V40PWM153CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
ER1003FCT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS81-GS08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
UF2004FCT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBAS20LT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
RBQ20BM45ATL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
BAS20WTHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
STTH200F04TV1 · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 75 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.45 V @ 100 A
MBR10100FCT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
IDW40G65C5BXKSA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 210 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
UF2006FCT_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MSC030SDA120B · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 30 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 0 Ns