WNSC6D20650CW6Q · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C
Composants électroniques
HSM221CTR-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
PCDH20120CCG1_T0_00601 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
NRVS2D · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2 A
VX80153PWHM3/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
S2KGF_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
PSDH6060CCL1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MER2DAH_R1_00701 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
PCDH4065CCG1_T0_00601 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
PU2DM · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 2 A
PSDH3060CCS1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NRVBM120LT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 3 A
VS-30CPU04-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
PMEG3002AEB-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 200 MA
VS-HFA30TA60CHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
AR1FMHM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 1 A
VS-C5PX6006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
AU1FKHM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 1 A