V8PM153HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 8 A
Composants électroniques
MMBD4448DW-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
V10PM63HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 10 A
BAW101S-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STR8100LSS_AY_00301 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 790 MV @ 8 A
NSVBAV70TT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
AS3BJHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 3 A
RBR3L60BDDTE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 3 A
BAT54CHYT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
VSSAF522HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 5 A
BAS70-04-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
SS5P6-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 690 MV @ 5 A
BAS70-06-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
HSM276SRTL-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
BAS70-05-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
EMN11T2R · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BYT51D-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
SVM1045VB_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 10 A