RBR10BM30ATL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
Composants électroniques
PCDD10120G1_L2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
MBRF1060CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-E5PW6006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.6 V @ 60 A
STPSC12065D · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.45 V @ 12 A
V20DM60C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
VS-E5PX6006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 60 A
V20PWM45C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
VS-3C08ET07T-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 45 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 8 A
V20PWM15C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
PSDP30120L1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.6 V @ 30 A
RB098BM-40FHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
RB098BM-30FHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
FFSP0665A · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 6 A
VS-16CTQ100STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
VS-3C10ET07S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 55 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 10 A
V10DM150CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
MUR6060BH-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.4 V @ 60 A