PMEG100T030ELPE-QZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 710 MV @ 3 A
Composants électroniques
RB218T-30NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
EGP10B · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
RB088T-60NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
VS-3EYH02HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
RB218T-40NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
SS13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
VBT10200C-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
S3D-E3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A
RB088T-30NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
NRVS3MB · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 3 A
RBQ10NS100AFHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
ES2GHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
RB088T-40NZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
RBR3LAM60ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 660 MV @ 3 A
VB20150C-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SK345A-LTP-HF · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
RB228NS-30FHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)